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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过(guò俄罗斯人的尺寸是多少厘米，俄罗斯怎么那么大)网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过(guò)美光等(děng)国(guó)际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 20俄罗斯人的尺寸是多少厘米，俄罗斯怎么那么大21年(nián)美(měi)光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部(bù)数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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